낸드플래시 2

[ Nandflash ] 04. 낸드플래시와 메모리구조

낸드 플래시 메모리 NAND Flash Memory 반도체의 셀이 직렬로 배열되어 있는 플래시 메모리의 한 종류 플래시 메모리(Flash Memory)는 반도체 칩 내부의 전자회로 형태에 따라 직렬로 연결된 낸드 플래시와 병렬로 연결된 노어플래시로 구분된다. 낸드플래시는 용량을 늘리기 쉽고 쓰기 속도가 빠른반면 노어플래시는 읽기속도가 빠른 장점을 갖고 있다.(NOR가 쓰기가 수천배 느리다 -> 치명적 단점) 낸드 플래시는 저장단위인 셀을 수직으로 배열하는 구조이기 때문에 좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있어 대용량화가 가능하다. 또한 데이터를 순차적으로 찾아가 읽기 때문에 노어플래시보다 읽기 속도는 느리지만 별도로 셀의 주소를 기억할 필요가 없어 쓰기속도는 훨씬 빠르다. 제조단가가 노어플레시보다 싸다. ..

[ Nandflash ] 00. 낸드플래시의 기초, MOSFET

Nandflash Nandflash datsheet와 Nandflash driver source code를 기반으로 낸드플래시를 이해해보자 NAND flash = MOSFET + FG(floating gate) 본격적으로 낸드플래시를 설명하기 전에 DRAM과 플레시메모리(Flash Memory)의 차이에 관해 설명하겠다. 저장방식에 있어서 DRAM은 캐패시터에 저장하는 반면 플레시메모리는 플로팅게이트(Floating Gate:FG)라는 곳에 데이터를 저장한다. 따라서 DRAM은 휘발성, 플래시메모리는 비휘발성의 특징을 가지게 된다. MOSFET Metal - Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor 금속-산화 반도체 전계 효과 트랜지스터 Basic NMOS의 구조와 ..