낸드플래시 수명 3

[ Nandflash ] 07. 낸드플래시의 수명연장 방법

생명연장의 꿈 그렇다고 손놓고 있을 엔지니어들이 아니다. 대용량이라는 절대 무적의 메리트를 쉽게 포기할 수는 없다. 갖가지 수명연장 대책이 나오지만 여기서는 그 일부만 소개하겠다. 웨어레벨링 Wear-Leveling 각 셀의 산화막의 수명은 대부분 비슷하다. 이런 상황에서 특정 셀만 집중적으로 사용하면 그 셀의 산화막만 집중적으로 손상받게 되고, 그 셀만 먼저 수명을 다할것이다. 이러면 전체용량이 감소되는 것이기 때문에 달갑지 않다. 이런 사태를 예방하는 것이 웨어레벨링이다. 쉽게말하면, 각 셀을 골고루 사용해서 전체 셀의 수명을 일정하게 관리해주는 것이다. 전체적인 수명을 최대로 사용할 수 있는 것! ECC Error Check and Correct : 에러 수정 기능 Controller의 에러 수정 ..

[ Nandflash ] 06. SLC, MLC, TLC

MLC와 TLC 앞서 설명한 플래시메모리는 한 셀에 1비트만 저장이 가능했다. 0아니면 1이었으니까. 이런 셀을 무수히 많이 집적해서 플래시 메모리를 만드는데 셀이 10억개 집적되어 있으면 1Gb(128MB)의 용량을 갖는식으로. 플래시메모리는 저장매체이니 더 많은 저장용량을 원하는건 당연한 요구이다. 그래서 머리를 굴리는 것이 "한 셀에 2비트씩 저장해보자!!" 한셀에 저장되는 용량이 2배면 셀의 개수(메모리 다이의 크기)를 늘리지 않아도 저장용량이 단숨에 2배로 늘어난다. ?? 그럼 이것을 어떻게 구현할 것인가? 전자있다(0), 전자없다(1) 의 단순한 구분을 뛰어넘어서 전자없다(11), 전자적다(10), 전자많다(01), 전자아주많다(00)로 구분을 세분화 한것이다. 이를 기록하기 위해서 쓰기 과정..

[ Nandflash ] 05. 낸드플래시의 작동원리와 수명

낸드플래시 작동 원리 기본적인 모스펫 구조에 플로팅 게이트(부유 게이트)가 추가된 형테이다. 저 플로팅 게이트에 전자를 저장함으로써 데이터를 저장하는 것이다. 플로팅 게이트에 전자가 있으면(많으면) 0으로 인식 ( programmed ) 플로팅 게이트에 전자가 없으면(적으면) 1로 인식( erased, unprogrammed ) 기본 구조는 이렇지만 현재는 플로팅게이트가 아닌 산화막에 전자를 저장하고 플로팅게이트를 생략해버리는 식(삼성, CTF) 등의 발전된 방식이 많이 존재한다. Control Gate에 전압을 인가하면 Source에서 Drain으로 이동하던 전자가 tunneling으로 Floating Gate로 들어가게 된다. # Note Tunneling이란 낮은 에너지를 갖는 입자가 에너지가 높으..