programmer life guidance 101

Threshold Voltage(문턱전압) 문턱전압은 Threshold Voltage(Vth)라는 단어를 그대로 직역한 용어이다. 디램(D-RAM), 낸드 플래시(NAND Flash) 등의 메모리 반도체부터 시스템 집적 반도체(Sytem IC) 같은 비메모리 반도체, 또는 미래의 어떤 능동소자 까지 모든 반도체에서 공통적으로 사용되는 개념이다. 방과 방사이를 구분하는 문턱(Threshold)처럼, 문턱전압은 전류의 흐름이 변하는 전압의 임계점을 말한다. 여기서는 MOSFET을 동작하게 만드는 문턱 전압의 속성에 대해 알아보겠다. #========================================== 전류가 흐르는 MOSFET 강의 수위를 조절하는 댐, 문턱전압 ====================..

SSD 기본 1. 메모리 셀타입 SSD(Soild state drive)는 플래시 메모리를 기반으로 하는 저장 장치이다. 각 비트들은 셀에 저장되는데, SSD의 셀은 1비트(SLC), 2비트(MLC), 3비트(TLC) 셀 타입이 있다. 2. 수명 제한 각 셀은 최대 가능한 P/E(Program/Erase) cycle을 가지며, 최대 가능한 P/E cycle을 초과하면 결함 셀(Defective cell)로 간주된다. 이는 NAND 플래시 메모리는 언젠가는 Wear-off되고 수명이 제한적이라는 것을 의미한다. 3. 벤치마킹의 어려움 테스트도 결국 사람이 수행하는 것이기 때문에, 모든 벤치마크는 오류나 실수를 담고 있다. 그래서 제조사나 제 삼자에 의한 벤치마킹 결과를 참조할 때는 주의해야 한다. SSD를..