Threshold Voltage 2

[ Nandflash ] 05. 낸드플래시의 작동원리와 수명

낸드플래시 작동 원리 기본적인 모스펫 구조에 플로팅 게이트(부유 게이트)가 추가된 형테이다. 저 플로팅 게이트에 전자를 저장함으로써 데이터를 저장하는 것이다. 플로팅 게이트에 전자가 있으면(많으면) 0으로 인식 ( programmed ) 플로팅 게이트에 전자가 없으면(적으면) 1로 인식( erased, unprogrammed ) 기본 구조는 이렇지만 현재는 플로팅게이트가 아닌 산화막에 전자를 저장하고 플로팅게이트를 생략해버리는 식(삼성, CTF) 등의 발전된 방식이 많이 존재한다. Control Gate에 전압을 인가하면 Source에서 Drain으로 이동하던 전자가 tunneling으로 Floating Gate로 들어가게 된다. # Note Tunneling이란 낮은 에너지를 갖는 입자가 에너지가 높으..

[ Nandflash ] 03. 문턱전압(Threshold Voltage)

Threshold Voltage(문턱전압) 문턱전압은 Threshold Voltage(Vth)라는 단어를 그대로 직역한 용어이다. 디램(D-RAM), 낸드 플래시(NAND Flash) 등의 메모리 반도체부터 시스템 집적 반도체(Sytem IC) 같은 비메모리 반도체, 또는 미래의 어떤 능동소자 까지 모든 반도체에서 공통적으로 사용되는 개념이다. 방과 방사이를 구분하는 문턱(Threshold)처럼, 문턱전압은 전류의 흐름이 변하는 전압의 임계점을 말한다. 여기서는 MOSFET을 동작하게 만드는 문턱 전압의 속성에 대해 알아보겠다. #========================================== 전류가 흐르는 MOSFET 강의 수위를 조절하는 댐, 문턱전압 ====================..