programmer life guidance 101

Threshold Voltage(문턱전압) 문턱전압은 Threshold Voltage(Vth)라는 단어를 그대로 직역한 용어이다. 디램(D-RAM), 낸드 플래시(NAND Flash) 등의 메모리 반도체부터 시스템 집적 반도체(Sytem IC) 같은 비메모리 반도체, 또는 미래의 어떤 능동소자 까지 모든 반도체에서 공통적으로 사용되는 개념이다. 방과 방사이를 구분하는 문턱(Threshold)처럼, 문턱전압은 전류의 흐름이 변하는 전압의 임계점을 말한다. 여기서는 MOSFET을 동작하게 만드는 문턱 전압의 속성에 대해 알아보겠다. #========================================== 전류가 흐르는 MOSFET 강의 수위를 조절하는 댐, 문턱전압 ====================..

Channel, 드레인 전류의 변화 트랜지스터가 동작한다는 것은, 내부에서 캐리어가 흐른다는 뜻이다. 이때 캐리어는 반드시 채널을 지나야 정격전류가 되는데, 이 흐름은 외부전압인 드레인전압과 게이트전압에 의해 좌우된다. 여기서 드레인 전압은 채널에 있는 캐리어를 직접 끌어당기고 게이트전압은 채널 속은 잘 흐르도록 통로의 두께와 폭을 넓히는 역할을 한다. 그래서 이번에는 증가형 MOSFET의 채널을 매개체로 드레인 전류를 놓고, 드레인전압과 게이트 전압이 펼치는 삼각관계에 대해 알아보자. #================================================== 전류야, 그 길을 건너지마오 - 차단영역 ================================================..

Nandflash Nandflash datsheet와 Nandflash driver source code를 기반으로 낸드플래시를 이해해보자 NAND flash = MOSFET + FG(floating gate) 본격적으로 낸드플래시를 설명하기 전에 DRAM과 플레시메모리(Flash Memory)의 차이에 관해 설명하겠다. 저장방식에 있어서 DRAM은 캐패시터에 저장하는 반면 플레시메모리는 플로팅게이트(Floating Gate:FG)라는 곳에 데이터를 저장한다. 따라서 DRAM은 휘발성, 플래시메모리는 비휘발성의 특징을 가지게 된다. MOSFET Metal - Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor 금속-산화 반도체 전계 효과 트랜지스터 Basic NMOS의 구조와 ..