programmer life guidance 101

PIN CONFIGURATION TSOPI 48L, 12mm X 20mm Body, 0.5mm Pin Pitch BALL CONFIGURATION BGA 63 BALL, 9mm X 11mm Body, 0.8 Ball Pitch Pin Description => Symbol Pin Name Functions I/O0~I/O7 Data Inputs / Outputs I / O 핀은 명령, 주소 및 데이터를 입력하고 읽기 작업 중에 데이터를 출력하는 데 사용됩니다. I / O 핀은 칩이 선택 해제되거나 출력이 비활성화되면 Hi-Z로 플로팅됩니다. CLE Command Latch Enable LE 입력은 내부 명령 레지스터로 전송 된 명령의 활성화 경로를 제어합니다. 명령은 CLE가 높은 WE 신호의 상승 에지..

Threshold Voltage(문턱전압) 문턱전압은 Threshold Voltage(Vth)라는 단어를 그대로 직역한 용어이다. 디램(D-RAM), 낸드 플래시(NAND Flash) 등의 메모리 반도체부터 시스템 집적 반도체(Sytem IC) 같은 비메모리 반도체, 또는 미래의 어떤 능동소자 까지 모든 반도체에서 공통적으로 사용되는 개념이다. 방과 방사이를 구분하는 문턱(Threshold)처럼, 문턱전압은 전류의 흐름이 변하는 전압의 임계점을 말한다. 여기서는 MOSFET을 동작하게 만드는 문턱 전압의 속성에 대해 알아보겠다. #========================================== 전류가 흐르는 MOSFET 강의 수위를 조절하는 댐, 문턱전압 ====================..

Nandflash Nandflash datsheet와 Nandflash driver source code를 기반으로 낸드플래시를 이해해보자 NAND flash = MOSFET + FG(floating gate) 본격적으로 낸드플래시를 설명하기 전에 DRAM과 플레시메모리(Flash Memory)의 차이에 관해 설명하겠다. 저장방식에 있어서 DRAM은 캐패시터에 저장하는 반면 플레시메모리는 플로팅게이트(Floating Gate:FG)라는 곳에 데이터를 저장한다. 따라서 DRAM은 휘발성, 플래시메모리는 비휘발성의 특징을 가지게 된다. MOSFET Metal - Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor 금속-산화 반도체 전계 효과 트랜지스터 Basic NMOS의 구조와 ..

SSD 기본 1. 메모리 셀타입 SSD(Soild state drive)는 플래시 메모리를 기반으로 하는 저장 장치이다. 각 비트들은 셀에 저장되는데, SSD의 셀은 1비트(SLC), 2비트(MLC), 3비트(TLC) 셀 타입이 있다. 2. 수명 제한 각 셀은 최대 가능한 P/E(Program/Erase) cycle을 가지며, 최대 가능한 P/E cycle을 초과하면 결함 셀(Defective cell)로 간주된다. 이는 NAND 플래시 메모리는 언젠가는 Wear-off되고 수명이 제한적이라는 것을 의미한다. 3. 벤치마킹의 어려움 테스트도 결국 사람이 수행하는 것이기 때문에, 모든 벤치마크는 오류나 실수를 담고 있다. 그래서 제조사나 제 삼자에 의한 벤치마킹 결과를 참조할 때는 주의해야 한다. SSD를..